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Ramtron宣布提供高速串口F-RAM器件样片

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay™ )写入特性。
关键字： Ramtron F-RAM存储器

Ramtron推出64Kbit串口F-RAM存储器样片

世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环，这相比同等EEPROM器件高出100万倍。FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100 µA (在100
关键字： Ramtron F-RAM存储器

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f-ram存储器介绍

　　F-RAM存储器　　铁电随机存储器（F-RAM），相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点：在掉电的情况下会失去所保存的数据。　　目录 [ 查看详细 ]

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